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IRFS4610TRLPBF  与  IPB123N10N3 G  区别

型号 IRFS4610TRLPBF IPB123N10N3 G
唯样编号 A-IRFS4610TRLPBF A-IPB123N10N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@44A,10V 10.7mΩ
上升时间 - 8ns
Qg-栅极电荷 - 35nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
正向跨导 - 最小值 - 29S
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 73A 58A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA 3.5V @ 46µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF 2500pF @ 50V
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 190W(Tc) 94W
典型关闭延迟时间 - 24ns
FET类型 N-Channel N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC 35nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4610TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 190W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@44A,10V N-Channel 100V 73A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比
IPB123N10N3 G Infineon 功率MOSFET

IPB123N10N3GATMA1_-55°C~175°C(TJ) 100V 58A 10.7mΩ 20V 94W N-Channel

暂无价格 0 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
AOB1100L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 130A 500W 11.7mΩ@10V

暂无价格 0 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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